У гэтыя дні Samsung рыхтуецца пачаць вытворчасць звышхуткай флэш-памяці UFS 2.0 NAND, якую плануе выкарыстоўваць у сваім будучым флагмане Samsung. Galaxy S6. Да гэтага часу выкарыстоўвалася тэхналогія флэш-памяці eMMC NAND, якая змагла дасягнуць хуткасці перадачы ў 400 МБ/с. Аднак дзякуючы новай тэхналогіі UFS другога пакалення памяць будзе ў тэлефонах Galaxy S6 здольны дасягаць хуткасці перадачы да 1.2 ГБ/с, гэта значыць у тры разы вышэй.
Вядома, гэта адаб'ецца на перадачы вялікіх файлаў, такіх як перадача відэа 4K з дапамогай злучэння LTE-A. Акрамя таго, у параўнанні з eMMC 5.0, тэхналогія прапануе да 50% меншае спажыванне, што станоўча ўплывае на час аўтаномнай працы новага тэлефона. Samsung таксама плануе выкарыстоўваць гэтую тэхналогію ў сваіх картах SD і microSD і, відаць, ужо ўпарта працуе над гэтым. Асноўны кітайскі канкурэнт Samsung, Xiaomi, таксама плануе выкарыстоўваць флэш-памяць UFS, і, падобна, цікавасць да яе праявяць Toshima, Hynix і Micron. Акрамя таго, дзякуючы тэхналогіі UFS, Samsung будзе вымушаны выкарыстоўваць порт microUSB 3.0, калі хоча выкарыстоўваць хуткасць перадачы пры перадачы файлаў з кампутара на мабільны тэлефон і наадварот.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Крыніца: ETNews
