Сёння Samsung абвясціла аб серыйнай вытворчасці першай памяці DDR128 аб'ёмам 4 ГБ. Аднак не чакайце аператыўнай памяці, якой нашы кампутары пасаромеюцца на рынку. Гэта ўспаміны, прызначаныя непасрэдна для цэнтраў апрацоўкі дадзеных і сервераў кампаніі, таму яны даступныя толькі для буйных кліентаў, а не для звычайных карыстальнікаў, такіх як я ці вы. Такім чынам, Samsung працягвае леташні прарыў, калі кампанія першай у свеце анансавала памяць DDR64 аб'ёмам 4 ГБ, якая выкарыстоўвае тэхналогію 3D TSV.
Модуль памяці DDR128 на 4 ГБ, які Samsung прадставіла сёння, складаецца ў агульнай складанасці з 144 чыпаў, якія ўпарадкаваны ў выглядзе набора з 36 блокаў DRAM па 4 ГБ. Кожны з іх утрымлівае чатыры мікрасхемы памяці па 8 Гб, вырабленыя па 20-нанаметровым працэсе. Яны ўкладваюцца адзін на аднаго з дапамогай тэхналогіі TSV, якая мае перавагу больш хуткай перадачы сігналу і, такім чынам, больш хуткай памяці. Акрамя таго, яны маюць адносна нізкае спажыванне, што ацэняць не толькі такія кампаніі, як Apple, адносна вядомая каманда, якая дбае пра экалогію. У выніку гэта азначае хуткасць перадачы 2400 Мбіт/с, гэта значыць амаль удвая больш у параўнанні з класічнай памяццю, і ў той жа час гэта на 50% больш эканамічна. Аднак на гэтым планы не заканчваюцца. У бліжэйшы час Samsung плануе паказаць успаміны са хуткасцю перадачы да 3 Мбіт/с.
*Крыніца: BusinessWire
